SNSS35200MR6T1G

功能描述:TRANSISTOR PNP 2A 35V TSOP-6

RoHS:

类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

系列:*

标准包装:1

系列:-

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A

电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大):100nA

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V

功率 - 最大:710mW

频率 - 转换:100MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)

包装:Digi-Reel®

其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

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